Dr. Antonio Cerdeira Altuzarra

 EES011a
 
Investigador Cinvestav 3CDoctor en Ciencias Técnicas (1977)
Instituto Politécnico Noroccidental de Leningrado, Rusia.

Líneas de investigación:

  • Estudio, Caracterización y modelación de transistores MOSFETs avanzados y Transistores de Capa Fina (TFT)

Categoría en el SNI: Nivel II

Curriculum Vitae
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Oficina: 6-SEES

PUBLICACIONES 2012-2014

PUBLICACIONES 2015

 

Artículos publicados en extenso en revistas de prestigio internacional, con arbitraje estricto

 2015

 M. Estrada, M. Rivas, I. Garduño, F. Avila-Herrera, A. Cerdeira, M. Pavanello, I. Mejia and M. A. Quevedo-Lopez. Temperature dependence of the electrical characteristics up to 370 K of amorphous In-Ga-ZnO thin film transistors. Microelectronics Reliability, articule in press, DOI: 10.1016/j.microrel.2015.10.015, ISSN: 0026–2714.

 M. Estrada, G. Gutierrez-Heredia, A. Cerdeira, J. Alvarado, I. Garduño, J. Tinoco, I. Mejia and M. Quevedo-Lopez. Temperature dependence of the electrical characteristics of low-temperature processed zinc oxide thin film transistorsThin Solid Films. 573 (2015) 18-21. DOI: 10.1016/j.tsf.2014.10.092, ISSN: 0040–609.

F. Ávila-Herrera, A. Cerdeira, B. C. Paz, M. Estrada, B. Íñiguez, M. A. Pavanello. Compact model for short-channel symmetric double-gate junctionless Transistors. Solid-State Electronics. 111 (2015) 196–203.

B. C. Paz, F. Ávila-Herrera, A. Cerdeira and M. A. Pavanello. Double-gate junctionless transistor model including short-channel effects. Semicon. Sci. Technol. 30 (2015) 055011.

A. G. Martinez-Lopez, A. Cerdeira, J. C. Tinoco, J. Alvarado, W. Y. Padron, C. Mendoza and J. P. Raskin. RF modeling of 40-nm SOI triple-gate FinFET. Int. J. Numer. Model. 28 (2015) 465–478.

B. González, J. B. Roldán, B. Iñiguez, A. Lázaro, A. Cerdeira. DC self-heating effects modelling in SOI and bulk FinFETs. Microelectronic Journal. 46 (2015) 320-326

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