Dr. Arturo Escobosa Echavarría

 EES028a  
Investigador CINVESTAV 3C.
Doctor en Ingeniería, Universidad de Aachen, Alemania. 

Líneas de Investigación:

  • Crecimiento epitexial de compuestos III-V.
  • Caracterización de Semiconductores.
  • Dispositivos Optoelectrónicos.

Logros:

  • Patente: Método para la  obtención de películas de nitruro de galio por conversión de arseniuro de galio mediante nitridación.  Instituto Mexicano de la Propiedad Industrial.  Titulo de patente No. 278725.  Septiembre 6, 2010.

Categoría en el SNI: Nivel II
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Tel. 57-47-38-00 ext. 3775
Oficina: 3-SEES

PUBLICACIONES 2012-2014

PUBLICACIONES 2015


Artículos publicados en extenso en revistas de prestigio internacional, con arbitraje estricto

2015

V. D. Compeán García, I. E. Orozco Hinostroza, A. Escobosa Echavarría, E. López Luna, A. G. Rodríguez, M. A. Vidal. Bulk lattice parameter and band gap of cubic InXGa1_XN (001) alloys on MgO (100) SubstratesJournal of Crystal Growth. 418 (2015) 120–125.

O. de MeloA. DomínguezK. Gutiérrez Z-BG. Contreras-PuenteS. Gallardo-HernándezA. EscobosaJ. C. GonzálezR. PaniagoJ. Ferraz DiasM. Behar. Graded composition CdxZn1%u2212xTe films grown by Isothermal Close Space Sublimation techniqueSolar Energy Materials and Solar Cells.

Y. L. Casallas-Moreno, S. Gallardo-Hernández, F. Ruiz-Zepeda, B. M. Monroy, A. Hernández-Hernández, A. Herrera-Gómez, A. Escobosa-Echavarría, G. Santana, A. Ponce, M. López-López. As4 overpressure effects on the phase purity of cubic GaN layers grown on GaAs substrates by RF-MBE. Appl. Surf Sci. 353 (2015) 588.

Jose Reyes-Gasga, Olga Koudriavtseva, Raul Herrera-Becerra, Arturo Escobosa. XRD Characterization of Crystallinity of Human Tooth Enamel under Influence of Mechanical Grinding.  Materials Science and Applications. 6 (2015) 464-472.

M. Ramírez-López, Y. L. Casallas-Moreno, M. Pérez-Caro, A. Escobosa-Echevarria, S. Gallardo-Hernández, J. Huerta-Ruelas, and M. Lopez-Lopez. Study of interference effects on the photoluminescence of AlGaN/GaN quantum wells. Phys. Status Solidi C. 12 (4–5) (2015) 365–368 / DOI 10.1002/pssc.201400185.

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