Profesor: Dr. Yasuhiro Matsumoto Kuwabara 

OBJETIVOS:

Comprender los fenómenos adicionales a los dispositivos bipolares convencionales debido a la alta inyección de los portadores. Conocer los diseños y las tecnologías para la fabricación de los dispositivos de potencia eficientes. 

I. Transporte de los portadores

Movilidad: Dependencias en Temperatura; Concentración de impurezas; Campo eléctrico; Niveles de inyección; Dispersión superficial. 
Resistividad: Impurificación mediante la trasmutación de neutrones. 
Tiempo de vida: Recombinación SRH; Generación carga-espacial; Optimización de niveles de recombinación; Control de tiempo de vida. 

II. Voltaje de Ruptura

Avalancha 
Unión abrupta 
Por alcance 
Unión graduada 
Unión difundida 
Terminación de uniones 

III. Transistores por Efecto de Campo de Unión J-FET

Estructura y características 
Análisis del dispositivo 
Operación bipolar 
Estructuras tecnológicas 

IV. Diodos p-i-n Controlados por Campo

Estructuras y características 
Análisis del dispositivo 
Funcionamiento a altas temperaturas 
Respuesta a frecuencia 
Estructuras y tecnologías 

V. Transistores MOS

Estructuras y características 
Análisis del dispositivo 
Respuesta en frecuencia 
Funcionamiento bajo conmutación 
Diodo integral 
Tolerancia a radiación de neutrones 
Funcionamiento a altas temperaturas 
Estructuras y tecnologías 

VI. Dispositivos MOS-Bipolar

Tiristor con compuerta MOS 
Transistor IGBT con compuerta aislada 
Estructura y operación 
Análisis del dispositivo 
Respuesta en frecuencia 

VII. Tiristores

Operación estacionaria 
Estados de bloqueo inverso y directo 
Perfiles superficiales 
El estado de conducción directa 
El modelo de dos transistores 
Procesos transitorios de encendido (por compuerta; di/dt; dv/dt) 
Procesos transitorios de apagado (Circuito de conmutación; decremento de corriente; por compuerta) 

BIBLIOGRAFIA

  • Transistors, Warner and Grung, John Wiley & Sons (1983)
  • Physics of Semiconductor Devices, S.M. Sze, John Wiley & Sons, Second Edition (1981)
  • Semiconductor Power Devices, S.K. Ghandhi, John Wiley and Sons (1977)
  • Thyristor Physics, A. Blicher, Springer Verlag (1976)
  • Theoric approfondie du transistor bipolaire, G. Rey et P. Leturcq, Manon (1972)
  • Características y Limitaciones de los Transistores, R.D. Thornton, et al.,Tomo 3 de la serie SEEC, Edit Reverté (1971)
  • Thyristor Desing and Realization, Paul D. Tylor, Marconi Electronic Device, Inc. Wiley & Sons (1987)
  • Field Effect and Bipolar Power, Transistors Physics, Adolph Blicher, Academic Press (1981)
  • Physics and Technology of Semiconductor Devices, A. S. Grove, John Wiley and Sons (1967)
  • Modern Power Devices , Jayant Baliga, John Wiley & Sons (1987)
  • Power Semiconductor Devices (Theory and Application) , Vitezslav Benda, John Gowar, Duncan A. Grant, John Wiley & Sons (1999)
Volver