Dr. Yuriy Koudriavtsev

 EES034a  
Investigador CINVESTAV 3B.
Dr. en Física Electrónica y Física de Semiconductores Febrero 1998
Universidad Técnica Estatal de St. Petersburgo Rusia

Líneas de Investigación:

  •  SIMS (Espectroscopia de Masas de Iones Secundarios)
  •  Interacción de radiación con solido
  •  AFM (Microscopia de Fuerzas Atómicas)
  • EDX,(Espectroscopia por Dispersión de Energía de Rayos – X)
  • Hetero-estructuras semiconductoras
  •  Cronología geológica y arqueológica
  • OHD (Obsidian Hydration Dating) con SIMS

Categoría en el SNI: Nivel II
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Tel. 57-47-38-00 ext. 6255
Oficina: 10-SEES

PUBLICACIONES 2012-2014

PUBLICACIONES 2015

Artículos publicados en extenso en revistas de prestigio internacional, con arbitraje estricto

2015

Yuriy Kudriavtsev, Salvador Gallardo, Miguel Avendaño, Georgina Ramírez, René Asomoza, Linda Manzanilla, Laura Beramendi. Chemical analysis of obsidian by a SIMS/EDX combined system. Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, B. 343 (2015) 153–157

T. Charikova, V. Okulov, A. Gubkin, A. Lugovikh, K. Moiseev, V. Nevedomsky, Yu. Kudriavtsev, S. Gallardo, and M. Lopez. Magnetizati�n in AIIIBV semiconductor heterostructures with the depletion layer of mangaleseLow Temperature Physics. 41 (2) (2015) 157-159

 A. G. Hernández, Yu. Kudriavtsev, S. Gallardo, M. Avendaño, R. Asomoza. Formation of self-organized nano-surfaces on III%u2013V semiconductors by low energy oxygen ion bombardment. Materials Science in Semiconductor Processing. 37 (2015) 190–198

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