Dr. René Pablo Asomoza Palacio

   
Investigador CINVESTAV 3D.
Doctor de Estado (Física del Estado Sólido) 1980.
Universidad de París, Orsay, Francia

Líneas de Investigación:

  • Difracción de Rayos X.
  • Propiedades de transporte eléctrico de semiconductores.
  • Semiconductores no cristalinos.
  • Espectrometría de Masas de Iones Secundarios.

Categoría en el SNI: Nivel III
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Tel. 57-47-38-00 ext. 6253
Oficina: 7-SEES

PUBLICACIONES 2012-2014

PUBLICACIONES 2015

Artículos publicados en extenso en revistas de prestigio internacional, con arbitraje estricto

2015

B. J. Babu, S. Velumani, A, Kassiba, R. Asomoza, J. A. Chavez-Carvayar. Deposition and Characterization of Graded Cu(In1-xGax)Se2 Thin Films by Spray PyrolysisMaterials Chemistry and Physics. 162 (2015) 59-68.

B. J. Babu, S. Velumani, J. Arenas-Alatorre, A. Kassiba, Jose Chavez, Hyeonsik Park, Shahzada Qamar Hussain, Junsin Yi and R. Asomoza.Structural Properties of Ultrasonically Sprayed Al-Doped ZnO (AZO) Thin Films: Effect of ZnO Buffer Layer on AZO. Journal of Electronic Materials. 44 (2) (2015) 699-705.

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