TRANSISTORES MOS AVANZADOS (48 hrs.)

Profesor: Dr. Antonio Cerdeira Altuzarra.

OBJETIVO: Preparar  al estudiante en el conocimiento de los transistores con más perspectivas de utilización en los circuitos integrados de muy alta integración, tanto de aplicaciones digitales como analógicas.

Contenido:

TEMA 1: DESARROLLO HISTÓRICO DE LOS TRANSISTORES MOS.

TEMA 2: LOS TRANSISTORES SOI.

            2.1 Obtención de las obleas SOI.

            2.2 Tipos de transistores SOI: parcialmente empobrecidos y totalmente empobrecidos.

            2.3 Capacitancias.

            2.4 Voltaje umbral.

            2.5 Efecto de cuerpo.

            2.6 Efectos de canal corto.

            2.7 Modelos continuos.

            2.8 Transconductancia.

            2.9 Relación gm/Id.

            2.10 Movilidad.

            2.11 Pendiente subumbral.

            2.12 Efectos de campo intenso: efecto kink y electrones calientes.

            2.13 Efectos de cuerpo flotante.

            2.14 Autocalentamiento.

            2.15 Modo de acumulación: sus características.

TEMA 3: TRANSISTORES SOI DE COMPUERTYAS MULTIPLES.

            3.1 Análisis de sus características y parámetros.

            3.2 Transistores nanométricos.

            3.3 Transistores de doble compuerta.

            3.4 Transistores de 3 compuertas.

            3.5 Transistores de compuerta alrededor (GAA).

            3.6 Transistores FinFET.

TEMA 4: TRANSISTORES BALÍSTICOS.

            4.1 Principio de operación.

            4.2 Límites de transición.

            4.3 Características eléctricas.

TEMA 5: MODELOS CONTINUOS PARA LOS TRANSISTORES MOS AVANZADOS.

BIBLIOGRAFÍA:

  • “FinFETs and other multi-gate transistors”, Ed. By J.-P. Colinge, Springer, 2008.