Víctor Manuel Sánchez Resendiz

Investigador CINVESTAV-3C.
Doctor en Ciencias (2000)
CINVESTAV-IPN, México D. F.

Líneas de investigación:

  • Crecimiento de cristales masivos por la técnica Czochralski.
  • Crecimiento de películas epitaxiales por la técnica MOCVD de compuestos III-V (GaAs, GaAs/Si, GaN, InN).

Logros:

  • Patente: Método para la  obtención de películas de nitruro de galio por conversión de arseniuro de galio mediante nitridación.  Instituto Mexicano de la Propiedad Industrial.  Titulo de patente No. 278725.  Septiembre 6, 2010.

Categoría en el SNI: Nivel II
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Tel. 57-47-37-80
Oficina: 6-SEES

PUBLICACIONES 2012-2014

PUBLICACIONES 201Artículos publicados en extenso en revistas de prestigio internacional, con arbitraje estricto

2015

A. Dutt, S. Godavarthi, Y. Matsumoto, G. Santana-Rodríguez, A. Avila, V. Sánchez and G. Raina. HW-CVD deposited nanocrystalline silicon thin films at low substrate temperature with white-blue luminescence. Current Nanoscience. 11 (5) (2015) 621-626.

H. Vilchis, V. M. Sánchez-R. Electrical behavior of Mg doped cubic GaN on c-GaN structure. Materials Science in Semiconductor Processing. 37 (2015) 68-72.

I. Corrales-Mendoza, P. Bartolo-Pérez, V. M. Sánchez-Reséndiz, S. Gallardo-Hernández and A. Conde-Gallardo. Growth of superconducting NdFe0.88Co0.12AsO films by metal-organic chemical vapor deposition and post arsenic diffusion. EPL. 109 (2015) 17007

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