Sección Electrónica del Estado Sólido
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En México la Sección de Electrónica del Estado Sólido (SEES) del Departamento de Ingeniería Eléctrica es una referencia sobre los Circuitos en Alta Escala de Integracion (VLSI), los Semiconductores y la Nanotecnología. En la SEES se instaló la Planta Piloto de Celdas Solares en los 70's, un proyecto científico-tecnológico exitoso sobre los Semiconductores a nivel mundial: Se crecieron Monocristales de Silicio, se fabricaron las Celdas Solares y se instalaron Modulos Fotovoltaicos en diversas partes del País. Esta experiencia nos permite hoy desarrollar diversos proyectos en Nanotecnologia, así como en el desarrollo de Celdas Solares y Dispositivos de Almacenamiento de Energia con materiales nanoestructurados.
La Sección de Electrónica del Estado Sólido (SEES) realiza investigación en Materiales Avanzados para la Electrónica, Dispositivos Semiconductores, Circuitos Integrados, Nanoelectrónica, y diferentes aplicaciones de la Energía Solar. La SEES inició sus actividades desde hace mas de 55 años, cuando se creó el CINVESTAV en 1961.
Su planta académica es de 20 investigadores con grado de Doctor en Ciencias de Ingeniería Eléctrica, miembros del Sistema Nacional de Investigadores (SNI).
Todos los Programas de estudio se ofrecen sólo en la modalidad de tiempo completo.
Video de la Sección
Folleto
Información de Contacto
Jefe de Sección:
Dr. Arturo Escobosa Echavarría
Teléfono: 5747-3800 ext 3375
Correo: This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it.
Coordinación Académica Sección de Electrónica del Estado Sólido
Dr. Yasuhiro Matsumoto Kuwahara
Teléfono: 5747-3800 ext 3783
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Departamento de Ingeniería Eléctrica
CINVESTAV
Av. Instituto Politécnico Nacional 2508
Col. San Pedro Zacatenco
C.P. 07360, Ciudad de México
Tel: 5747– 3800 ext. 3774
Fax: 55 5747– 3978
Asistente Coordinación Académica
Yesenia Cervantes Aguirre
Tel: 55 5747-3774
Correo Electrónico: This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it.
/
Asistentes Electrónica del Estado Sólido
Mónica Davar Ocegueda
Tel: 55 5747-3772
Correo Electrónico: This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it.
Beatríz Urrutia Bohorquez
Tel: 55 5747-3775
Correo Electrónico: This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it.
VISITAS PROGRAMADAS:
Visitas Individuales, Visitas Académicas, Servicio Social y más
Contacto: Ing. Martín Jiménez Sarmiento
Tel: 55 5747-3772
Correo Electrónico: This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it.
Páginas WEB
http://www.ie.cinvestav.mx/
http://www.sees.cinvestav.mx
OBJETIVOS-MISIÓN - VISIÓN - PERFILES
Objetivos
El programa de Maestría tiene como objetivo profundizar y extender los conocimientos en el área de interés, así como
Misión-Visión
Misión:
Contribuir al desarrollo del país y al bienestar de la sociedad mediante la formación de recursos humanos de alto nivel, la .
Perfil de Ingreso
Perfil de Ingreso Maestría
Aspirantes egresados de las carreras de Ingeniería Eléctrica, Electrónica, Energía y Química, Física y Matemáticas y áreas afines.
Perfil de Egreso
Perfil de Egreso Maestría
Profesional de calidad y alto nivel técnico que cuenta con bases científicas y tecnológicas para la solución de problemas de
LÍNEAS DE INVESTIGACIÓN
Dispositivos Semiconductores
Celdas solares, Diodos emisores de luz, OLEDs, TFTs. Sensores de gases.
Sensores MOS basados en Transistores de compuerta flotante.
Materiales
Semiconductores III-V, Silicio monocristalino.
Silicio amorfo, Silicio poroso, Semiconductores orgánicos,
Semiconductores transparentes
Caracterización de semiconductores
Eléctrica: Efecto Hall, I-V, C-V, DLTS.
Óptica: Fotoluminiscencia, Transmitancia,
Reflectancia, Catodoluminiscencia.
Nanotecnología
nvestigadores relacionados con ésta línea
Vyacheslav Elyukhin
Yasuhiro Matsumoto Kuwabara
Mauricio Ortega López
Velumani Subramaniam
Diseño de circuitos integrados VLSI
Diseño de circuitos integrados analógicos CMOS.
Desarrollo de prototipos en tecnología de componentes VLSI digitales- FPGA.
Diseño de sistemas MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems).
Desarrollo de métodos para análisis de datos basados en técnicas neurodifusas
PLAN DE ESTUDIOS E INFORMACIÓN DEL PROGRAMA
Maestría
El plan de estudios de Maestría tiene una duración de 2 años dividido en 6 cuatrimestres. En el 1er. año el estudiante cursará de 10 a 14 materias de tipo obligatorio y opcional de acuerdo a su especialidad. Las materias opcionales tienen como objetivo preparar al estudiante en el desarrollo de su tesis. En el 2do. año cursará las materias de trabajo de tesis.
Doctorado
Para el ingreso al Programa de Doctorado existen dos modalidades. La primera está dirigida a candidatos con grado de Maestría en áreas afines. La segunda está dirigida a estudiantes del Programa de Maestría del DIE que hayan obtenido un promedio mínimo de 9 en el primer año (Doctorado Directo). La duración normal de los estudios de Doctorado es de 3 años, dividido en nueve cuatrimestres.
Doctorado Integrado:
Los estudiantes del Departamento de Ingeniería Eléctrica que hayan concluido los cursos del programa de maestría con un promedio mínimo de 9.0 podrán solicitar su cambio a un programa de Doctorado. En estas circunstancias la duración del Doctorado será de 48 meses, incluyendo la duración de los cursos de maestría.
Plan de Estudios Maestría - Electrónica del Estado Sólido
| PRIMER CUATRIMESTRE | CUATRO CURSOS OBLIGATORIOS | ||
|---|---|---|---|
| Electrónica Digital | Ciencia de Materiales | Física de Semiconductores | Tecnología de Semicoductores |
| SEGUNDO CUATRIMESTRE | DOS CURSOS OBLIGATORIOS Y DOS OPCIONALES | ||
| Dispositivos Semiconductores 1 | Caracterización de Semiconductores | Curso Opcional 1 | Curso Opcional 2 |
| TERCER CUATRIMESTRE | DOS CURSOS OPCIONALES Y TRABAJO DE TESIS | ||
| Curso Opcional 3 | Curso Opcional 4 | Trabajo de Tesis | |
| CUARTO CUATRIMESTRE | Y QUINTO CUATRIMESTRE | ||
| Trabajo de Tesis | |||
| SEXTO CUATRIMESTRE | |||
| Trabajo de Tesis | y Examen de grado |
Plan de Estudios Doctorado - Electrónica del Estado Sólido
La estructura del programa académico está organizada en doce cuatrimestres como se muestra en la siguiente tabla.
Dos cursos: Cursos seleccionados por el estudiante, su(s) director(es) de tesis y el Comité de Admisión al Doctorado en función de las herramientas que requiere el tema de investigación en que desarrollará el Proyecto de Tesis.
Cursos Optativos: Cursos seleccionados por el estudiante y su tutor o director(es) de tesis. Los del primer cuatrimestre se elegirán de acuerdo con el perfil de ingreso, considerando los intereses en las líneas de investigación. A partir del segundo cuatrimestre la selección se realizará en función de las herramientas que requiere el tema de investigación en que desarrollará el Proyecto de Tesis. Los cursos optativos van de acuerdo con las líneas de investigación del Programa.
Proyecto de Investigación: Plan de trabajo que el estudiante realizará durante los 12 periodos que comprenden los proyectos de tesis a partir del tema de investigación seleccionado. Éste se define conjuntamente con el(los) director(es) de la tesis.
| CUATRIMESTRE | OPCIÓN ELECTRÓNICA DEL ESTADO SÓLIDO |
|---|---|
| 1 | Curso optativo, Protocolo de investigación y Trabajo de tesis |
| 2 | Curso Optativo y Trabajo de Tesis |
| 3 | Trabajo de Tesis |
| 4 | Trabajo de Tesis y Examen Predoctoral |
| 5 | Trabajo de Tesis y Examen Predoctoral |
| 6 al 11 | Trabajo de Tesis |
| 12 | Trabajo de Tesis y Examen de Grado |
Cursos Opcionales Maestría/Doctorado
Segundo cuatrimestre (Enero- Abril)
Propiedades Ópticas de Semiconductores (48 hrs)
Superficies, Interfaces y Heterouniones (48 hrs)
Introducción a los materiales nanoestructurados (48 hrs)
Tecnología de Semiconductores II
Fisicoquímica de Semiconductores I (48 hrs)
Sistemas Neurodifusos I (48 hrs)
Diseño de Circuitos Integrados I (48 hrs)
Microelectrónica (48 hrs)
Tercer cuatrimestre (Mayo-Agosto)
Dispositivos Semiconductores II
Física Analítica (48 hrs)
Celdas Solares (48 hrs.)
Nanotecnología
Diodos Emisores de Luz
Sensores Químicos de Gases (48 hrs)
Fisicoquímica de Semiconductores II (48 hrs)
Sistemas Neurodifusos II (48 hrs)
Diseño de Circuitos Integrados II (48 hrs)
Dispositivos Orgánicos: Principios de funcionamiento, métodos de obtención y aplicaciones. (48 hrs)
Introducción a la Física de Superficies e Interfaces (48 hrs)
Tópicos de ciencia de materiales (48 hrs)
Películas Delgadas Semiconductoras (64 hrs)
Tecnologías de celdas solares fotovoltaicas (48 hrs)
Transistores MOS avanzados (48 hrs)
VLSI para Sistemas Neurodifusos (48 hrs)
Sistemas Neurodifusos III (48 hrs)
Estructura Electrónica de Materiales (48 hrs)
Cuarto cuatrimestre (Agosto-Diciembre)
Trabajos de tesis
Quinto cuatrimestre (Agosto-Diciembre)
Trabajos de tesis
GRADUADOS Y PUBLICACIONES
PLANTA ACADÉMICA
José Pablo René Asomoza Palacio
Investigador Cinvestav 3D. Doctor de Estado (Física del Estado Sólido) (1980) por Universidad de París, Orsay, Francia
Línea de Investigación:
Caracterización de semiconductores
Temas de Investigación:
Difracción de rayos X. Propiedades de transporte eléctrico de semiconductores. Semiconductores no cristalinos. Espectrometría de masas de iones secundarios.
Sistema Nacional de Investigadores:
Nivel 3
Teléfono: 5747-3800 ext: 6253
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Currículum (versión PDF)
Iouri Koudriavtsev
Investigador Cinvestav 3B. Doctor en Física Electrónica y Física de Semiconductores (1998) por Universidad Técnica Estatal St. Petersburgo, Rusia
Línea de Investigación:
Caracterización de semiconductores
Temas de investigación:
Fenómeno de pulverización (sputtering) Emisión de moléculas. Pulverización preferencial. Modificación de la composición superficial. Análisis de cuerpos sólidos por SIMS. Estudio de razón isotópica. Control de procesos tecnológicos de crecimientos en semiconductores.
Sistema Nacional de Investigadores:
Nivel 2
Teléfono: 5747-3800 ext 6265
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Currículum
Antonio Cerdeira Altuzarra
Investigador Cinvestav 3C. Doctor en Ciencias Técnicas (1977) por Instituto Politécnico Noroccidental de Leningrado, Rusia
Línea de Investigación:
Dispositivos semiconductores
Temas de investigación:
Estudio, Caracterización y modelación de transistores MOSFETs avanzados y Transistores de Capa Fina (TFT)
Sistema Nacional de Investigadores:
Nivel 2
Teléfono: 5747-3800 ext 3780
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Currículum (Version PDF)
Elyukhin Vyacheslav Aleksandrovich
Investigador Cinvestav 3C. Doctor en Física y matemáticas (1981) por Instituto Ioffe Physico Technical, Leningrado, Rusia
Línea de Investigación:
Materiales semiconductores
Temas de investigación:
Crecimiento de Películas delgadas de semiconductores compuestos con aplicaciones en optoelectrónica. Estudio de la termodinámica del depósito de películas delgadas. Dispositivos Optoelectrónicos a base de compuestos III-V.
Sistema Nacional de Investigadores:
Nivel 2
Teléfono: 5747-3800 ext 3773
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Currículum ( Versión PDF)
Arturo Escobosa Echavarría
Investigador Cinvestav 3C. Doctor en Ingeniería Eléctrica (1983) por Universidad de Aachen, Alemania
Línea de Investigación:
Caracterización de semiconductores
Temas de investigación:
Crecimiento epitaxial de compuestos III-V. Caracterización de semiconductores, dispositivos optoelectrónicos.
Sistema Nacional de Investigadores:
Nivel 2
Teléfono: 5747-3800 ext 3375
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Currículum
Magali Estrada Del Cueto
Investigadora Cinvestav 3C. Doctor en Ciencias Técnicas (1977) por Instituto Politécnico Noroccidental de Leningrado, Rusia
Línea de Investigación:
Dispositivos semiconductores
Temas de investigación:
Fabricación, Caracterización y modelación de dispositivos orgánicos: emisores de luz y transistores de capa fina
TFT. Estudio, caracterización y modelación de transistores MOSFETs avanzados.
Sistema Nacional de Investigadores:
Nivel 2
Teléfono: 5747-3800 ext 3786
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Currículum (Versión PDF)
Felipe Gómez Castañeda
Investigador Cinvestav 3A. Doctor en Ciencias (1996) por Cinvestav-IPN
Línea de Investigación:
Diseño de circuitos integrados VLSI
Temas de investigación:
Diseño analógico VLSI. Redes neuronales artificiales.
Sistema Nacional de Investigadores:
Nivel 0
Teléfono: 5747-3800 ext 6262
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Currículumm
José Arturo Morales Acevedo
Investigador Cinvestav 3E. Doctor en Ciencias (1987) por Cinvestav-IPN
Línea de Investigación:
Dispositivos semiconductores
Temas de investigación:
Celdas solares. Física de dispositivos. Semiconductores. Sistemas fotovoltaicos. Instrumentación electrónica.
Sistema Nacional de Investigadores:
Nivel 3
Teléfono: 5747-3800 ext 3781
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Página Personal
Currículum
Arturo Maldonado Álvarez
Investigador Cinvestav 3C. Doctor en Ciencias (1997) por Cinvestav-IPN
Línea de Investigación:
Materiales semiconductores
Tema de investigación:
Óxidos semiconductores obtenidos por rocío químico.
Sistema Nacional de Investigadores:
Nivel 2
Teléfono: 5747-3800 ext 3782
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Currículum
Yasuhiro Matsumoto Kuwahara
Investigador Cinvestav 3C. Doctor en Ciencias (1990) por Universidad de Osaka, Japón
Línea de Investigación:
Dispositivos semiconductores
Temas de investigación:
Celdas solares de películas delgadas a base de silicio amorfo hidrogenados. Transistores de películas delgadas.
Sistema Nacional de Investigadores:
Nivel 2
Teléfono: 5747-3800 ext 3783
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Currículum
Jaime Mimila Arroyo
Investigador Cinvestav 3C. Doctor en Ciencias (1978) por Universidad Pierre et Marie Curie, Francia
Línea de Investigación:
Materiales semiconductores
Temas de investigación:
Epitaxia de películas delgadas de materiales semiconductores GaAs, InP, GaN, BN ZnO. Crecimiento de semiconductores en cristal masivo. Caracterización de propiedades ópticas y eléctricas de materiales semiconductores. Diodos emisores de luz, transistores, MES-FET, celdas solares. HEMT Al GaN/GaN, H en los semiconductores.
Sistema Nacional de Investigadores:
Nivel 3
Teléfono: 5747-3800 ext 6251
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Currículum
Maria de La Luz Olvera Amador
Investigador Cinvestav 3C. Doctor en Ciencias (1998) por Cinvestav-IPN
Línea de Investigación:
Materiales semiconductores
Temas de investigación:
Películas delgadas de Oxidos Semiconductores. Sensores de gases.
Sistema Nacional de Investigadores:
Nivel 3
Teléfono: 5747-3800 ext 3784
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Currículum
Mauricio Ortega López
Investigador Cinvestav 3C. Doctor en Ciencias (1999) por Cinvestav-IPN
Línea de Investigación:
Dispositivos semiconductores
Temas de investigación:
Síntesis de materiales semiconductores por métodos químicos. Desarrollo de celdas solares fotovoltaicas. Investigación básica en celdas solares.
Sistema Nacional de Investigadores:
Nivel 2
Teléfono: 5747-3800 ext 6260
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Currículum
Ramón Peña Sierra
Investigador Cinvestav 3C. Doctor en Ciencias (1990) por Cinvestav-IPN
Línea de Investigación:
Materiales semiconductores
Temas de investigación:
Crecimiento y caracterización de películas epitaxiales semiconductoras por MOCVD. Dispositivos optoelectrónicos. Diodos emisores de luz de GaAs-GaAlAs. Láseres de semiconductor. Emisores de luz blanca.
Sistema Nacional de Investigadores:
Nivel 2
Teléfono: 5747-3800 ext 3777
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Currículum
Mario Alfredo Reyes Barranca
Investigador Cinvestav 3C. Doctor en Ciencias (1998) por Cinvestav-IPN
Línea de Investigación:
Diseño de circuitos integrados VLSI
Temas de investigación:
Memorias MOS de compuerta flotante para redes neuronales artificiales. Diseño de circuitos integrados analógicos. Dispositivos Micro-Electro-Mecánicos.
Sistema Nacional de Investigadores:
Nivel 1
Teléfono: 5747-3800 ext 3776
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Currículum
Rubio Gabriel Romero Paredes
Investigador Cinvestav 3B. Doctor en Ciencias de la Tecnología (1984) Escuela Superior Técnica de Renania Westafalia, Aachen, Alemania
Línea de Investigación:
Dispositivos semiconductores
Temas de investigación:
Dispositivos semiconductores de silicio y silicio poroso. Caracterización de semiconductores. Procesos tecnológicos de circuitos integrados de silicio.
Sistema Nacional de Investigadores:
Nivel 1
Teléfono: 5747-3800 ext 3777
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Currículum
Víctor Manuel Sánchez Resendiz
Investigador Cinvestav 3C. Doctor en Ciencias (2000) por Cinvestav-IPN
Línea de Investigación:
Materiales semiconductores
Temas de investigación:
Crecimiento de cristales masivos por la técnica Czochralski. Crecimiento de películas epitaxiales por la técnica MOCVD de compuestos III-V (GaAs, GaAs/Si, GaN, InN AlN, y aleaciones).
Sistema Nacional de Investigadores:
Nivel 2
Teléfono: 5747-3800 ext 3771, 3780
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Currículum
Dra. Arely Cano Martínez
Investigadora Cinvestav 2C. Doctor en Ciencias
Línea de Investigación:
-
Temas de investigación:
-
Sistema Nacional de Investigadores:
Nivel
Teléfono: 5747-3800 ext 6259
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LABORATORIOS
INSTALACIONES
SALA DE ESTUDIANTES
Instalaciones