¿que Ofrecemos en Electrónica del Estado sólido?

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En México la Sección de Electrónica del Estado Sólido (SEES) del Departamento de Ingeniería Eléctrica es una referencia sobre los Circuitos en Alta Escala de Integracion (VLSI), los Semiconductores y la Nanotecnología. En la SEES se instaló la Planta Piloto de Celdas Solares en los 70's, un proyecto científico-tecnológico exitoso sobre los Semiconductores a nivel mundial: Se crecieron Monocristales de Silicio, se fabricaron las Celdas Solares y se instalaron Modulos Fotovoltaicos en diversas partes del País. Esta experiencia nos permite hoy desarrollar diversos proyectos en Nanotecnologia, así como en el desarrollo de Celdas Solares y Dispositivos de Almacenamiento de Energia con materiales nanoestructurados.

La Sección de Electrónica del Estado Sólido (SEES) realiza investigación en Materiales Avanzados para la Electrónica, Dispositivos Semiconductores, Circuitos Integrados, Nanoelectrónica, y diferentes aplicaciones de la Energía Solar. La SEES inició sus actividades desde hace mas de 55 años, cuando se creó el CINVESTAV en 1961.

Su planta académica es de 20 investigadores con grado de Doctor en Ciencias de Ingeniería Eléctrica, miembros del Sistema Nacional de Investigadores (SNI).

Todos los Programas de estudio se ofrecen sólo en la modalidad de tiempo completo.

Objetivos:


El programa de Maestría tiene como objetivo profundizar y extender los conocimientos en el área de interés, así como desarrollar habilidades que permitan al estudiante ejercer actividades científicas, tecnológicas, profesionales y docentes.

El objetivo del programa de Doctorado es la formación de recursos humanos de alto nivel capaces de generar conocimiento, concebir, dirigir y realizar proyectos de investigación científica y/o de desarrollo tecnológico, así como de ejercer la docencia a nivel superior y de posgrado.


Información de Contacto

Jefe de Sección:
Dr. Ramón Peña Sierra

Coordinación Académica Sección de Electrónica del Estado Sólido
Dr. Alfredo Reyes Barranca

Departamento de Ingeniería Eléctrica
CINVESTAV
Av. Instituto Politécnico Nacional 2508
Col. San Pedro Zacatenco
C.P. 07360, Ciudad de México
Tel: 5747– 3800 ext. 3774
Fax: 5747– 3978

Asistente Coordinación Académica 
Yesenia Cervantes Aguirre
Tel: 5747-3800 ext 3774
Correo Electrónico: This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it.
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Asistentes Electrónica del Estado Sólido

Mónica Davar Ocegueda
Tel: 5747-3800 Ext 3772
Correo Electrónico: This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it.

Beatríz Urrutia Bohorquez
Tel: 5747-3800 ext 3775
Correo Electrónico: This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it.

VISITAS PROGRAMADAS:

Visitas Individuales, Visitas Académicas, Servicio Social y más
Contacto: Ing. Martín Jiménez Sarmiento
Tel: 5747-3800 Ext 3772
Correo Electrónico: This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it.

Páginas WEB
http://www.ie.cinvestav.mx/
http://www.sees.cinvestav.mx

MISIÓN - VISIÓN - PERFILES

MISIÓN -VISIÓN

Misión:
Contribuir al desarrollo del país y al bienestar de la sociedad mediante la formación de recursos humanos de alto nivel, la investigación científica y tecnológica en ingeniería eléctrica y la vinculación con la industria, el sector social y de servicios.

Visión:
Consolidarse como líder en la formación de investigadores de alto nivel y la generación de conocimiento científico y tecnológico de vanguardia en áreas de Bioelectrónica, Comunicaciones, Electrónica del Estado Sólido y Mecatrónica, consolidándose como modelo en la generación de grupos científicos y académicos en el ámbito nacional e internacional y aportando soluciones a problemas del sector productivo y social del país

PERFIL DE INGRESO

Perfil de Ingreso Maestría
Aspirantes egresados de las carreras de Ingeniería Eléctrica, Electrónica, Energía y Química, Física y Matemáticas y áreas afines.

Perfil de ingreso Doctorado
Los aspirantes al doctorado son egresados de los posgrados de maestría relacionados con Electrónica, Mecánica, Computación, Biomédica, Fisico-matemáticas, Química y otras áreas afines. Se considerarán los casos de aspirantes de otras áreas del conocimiento que por sus antecedentes académicos estén interesados en cursar el programa de Doctorado.

El aspirante deberá tener la habilidad y el interés en participar en trabajo experimental, la disposición para el trabajo en equipo y una gran capacidad de análisis y observación, estas características de calidad son el resultado del análisis de su trayectoria en sus estudios de posgrado y de su experiencia profesional. Las actitudes deseables de los aspirantes son: iniciativa, capacidad de liderazgo, compromiso personal, responsabilidad, interés en la investigación, ética profesional y honestidad.

PERFIL DE EGRESO

Perfil de Egreso Maestría
Profesional de calidad y alto nivel técnico que cuenta con bases científicas y tecnológicas para la solución de problemas de desarrollo tecnológico, teóricos y experimentales y para realizar actividades docentes en su área de especialidad.

Perfil de egreso Doctorado
Nuestros egresados son Investigadores que cuentan con las bases científicas y tecnológicas y, con el potencial para convertirse en líderes de su especialidad, tanto a nivel nacional como internacional, y con la capacidad para generar nuevo conocimiento, concebir, desarrollar proyectos de investigación científica y/o de desarrollo tecnológico, así como de ejercer la docencia a nivel superior y de posgrado en su área de especialidad.

LÍNEAS DE INVESTIGACIÓN 


Dispositivos Semiconductores

Celdas solares.
Diodos emisores de luz.
OLEDs.
TFTs.
Sensores de gases.
Sensores MOS basados en
 Transistores de compuerta flotante.

Investigadores relacionados con ésta línea
Antonio Cerdeira Altuzarra
Magali de la Milagrosa Estrada del Cueto
José Arturo Morales Acevedo
Rubio Gabriel Romero Paredes

Materiales

Semiconductores III-V.
Silicio monocristalino.
Silicio amorfo.
Silicio poroso.
Semiconductores orgánicos.
Semiconductores transparentes.

Investigadores relacionados con ésta línea
Arturo Maldonado Álvarez
Jaime Mimila Arroyo
María de la Luz Olvera Amador
Ramón Peña Sierra
Víctor Manuel Sánchez Reséndiz

Caracterización de semiconductores

Eléctrica: Efecto Hall, I-V, C-V, DLTS.
Óptica: Fotoluminiscencia, Transmitancia,
Reflectancia, Catodoluminiscencia.
Estructural: SIMS, Microscopía electrónica, microscopía de fuerza atómica, difracción de rayos.

Investigadores relacionados con ésta línea
 José Pablo René Asomoza y Palacio
Alejandro Ávila García
Arturo Escobosa Echavarría
Iouri Koudriavtsev.

Diseño de circuitos integrados VLSI

Diseño de circuitos integrados analógicos CMOS.
Desarrollo de prototipos en tecnología de componentes VLSI digitales- FPGA.
Diseño de sistemas MEMS (Micro-Electro-Mechanical Systems).
 Desarrollo de métodos para análisis de datos basados en técnicas neurodifusas.

Investigadores relacionados con ésta línea
Felipe Gómez Castañeda
José Antonio Moreno Cadenas
Mario Alfredo Reyes Barranca

Nanotecnología 

Investigadores relacionados con ésta línea
Vyacheslav Elyukhin
Yasuhiro Matsumoto Kuwabara
Mauricio Ortega López
Velumani Subramaniam

PLAN DE ESTUDIOS E INFORMACIÓN DEL PROGRAMA

Maestría
 El plan de estudios de Maestría tiene una duración de 2 años dividido en 6 cuatrimestres. En el 1er. año el estudiante cursará de 10 a 14 materias de tipo obligatorio y opcional de acuerdo a su especialidad. Las materias opcionales tienen como objetivo preparar al estudiante en el desarrollo de su tesis. En el 2do. año cursará las materias de trabajo de tesis.


Doctorado
 Para el ingreso al Programa de Doctorado existen dos modalidades. La primera está dirigida a candidatos con grado de Maestría en áreas afines. La segunda está dirigida a estudiantes del Programa de Maestría del DIE que hayan obtenido un promedio mínimo de 9 en el primer año (Doctorado Directo). La duración normal de los estudios de Doctorado es de 3 años, dividido en nueve cuatrimestres.


Doctorado Integrado:
Los estudiantes del Departamento de Ingeniería Eléctrica que hayan concluido los cursos del programa de maestría con un promedio mínimo de 9.0 podrán solicitar su cambio a un programa de Doctorado. En estas circunstancias la duración del Doctorado será de 48 meses, incluyendo la duración de los cursos de maestría.

Plan de Estudios Maestría - Electrónica del Estado Sólido

PRIMER CUATRIMESTRECUATRO CURSOS OBLIGATORIOS
Electrónica Digital Electrónica Computacional Física de SemiconductoresTecnología de Semicoductores
SEGUNDO CUATRIMESTREDOS CURSOS OBLIGATORIOS Y DOS OPCIONALES
Dispositivos SemiconductoresCaracterización de SemiconductoresCurso Opcional 1Curso Opcional 2
TERCER CUATRIMESTREDOS CURSOS OPCIONALES Y TRABAJO DE TESIS
Curso Opcional 3Curso Opcional 4Trabajo de Tesis
CUARTO CUATRIMESTREY QUINTO CUATRIMESTRE
Trabajo de Tesis
SEXTO CUATRIMESTRE
Trabajo de Tesisy obtención de grado

Plan de Estudios Doctorado - Electrónica del Estado Sólido

La estructura del programa académico está organizada en doce cuatrimestres como se muestra en la siguiente tabla.

Dos cursos: Cursos seleccionados por el estudiante, su(s) director(es) de tesis y el Comité de Admisión al Doctorado en función de las herramientas que requiere el tema de investigación en que desarrollará el Proyecto de Tesis.

Cursos Optativos: Cursos seleccionados por el estudiante y su tutor o director(es) de tesis. Los del primer cuatrimestre se elegirán de acuerdo con el perfil de ingreso, considerando los intereses en las líneas de investigación. A partir del segundo cuatrimestre la selección se realizará en función de las herramientas que requiere el tema de investigación en que desarrollará el Proyecto de Tesis. Los cursos optativos van de acuerdo con las líneas de investigación del Programa.

Proyecto de Investigación: Plan de trabajo que el estudiante realizará durante los 12 periodos que comprenden los proyectos de tesis a partir del tema de investigación seleccionado. Éste se define conjuntamente con el(los) director(es) de la tesis.


CUATRIMESTREOPCIÓN ELECTRÓNICA DEL ESTADO SÓLIDO
1Curso optativo,   Protocolo de investigación y Trabajo  de tesis 
2Curso Optativo y Trabajo de Tesis  
3Trabajo de Tesis
4Trabajo de Tesis y Examen Predoctoral
5Trabajo de Tesis y Examen Predoctoral
6 al 11Trabajo de Tesis
12Trabajo de Tesis y Examen de Grado

Cursos Opcionales Maestría/Doctorado

Segundo cuatrimestre (Enero- Abril)
Propiedades Ópticas de Semiconductores (48 hrs)
Superficies, Interfaces y Heterouniones (48 hrs)
Introducción a los materiales nanoestructurados (48 hrs)
Tecnología de Semiconductores II
Fisicoquímica de Semiconductores I (48 hrs)
Sistemas Neurodifusos I (48 hrs)
Diseño de Circuitos Integrados I (48 hrs)
Microelectrónica (48 hrs)

Tercer cuatrimestre (Mayo-Agosto)
Dispositivos Semiconductores II
Física Analítica (48 hrs)
Celdas Solares (48 hrs.)
Nanotecnología
Diodos Emisores de Luz
Sensores Químicos de Gases (48 hrs)
Fisicoquímica de Semiconductores II (48 hrs)
Sistemas Neurodifusos II (48 hrs)
Diseño de Circuitos Integrados II (48 hrs)
Dispositivos Orgánicos: Principios de funcionamiento, métodos de obtención y aplicaciones. (48 hrs)
Introducción a la Física de Superficies e Interfaces (48 hrs)
Tópicos de ciencia de materiales (48 hrs)
Películas Delgadas Semiconductoras (64 hrs)
Tecnologías de celdas solares fotovoltaicas (48 hrs)
Transistores MOS avanzados (48 hrs)
VLSI para Sistemas Neurodifusos (48 hrs)
Sistemas Neurodifusos III (48 hrs)
 Estructura Electrónica de Materiales (48 hrs)

Cuarto cuatrimestre (Agosto-Diciembre)
Trabajos de tesis

Quinto cuatrimestre (Agosto-Diciembre)
Trabajos de tesis 

PLANTA ACADÉMICA SECCIÓN ELECTRÓNICA DEL ESTADO SÓLIDO

José Pablo René Asomoza Palacio 

Investigador Cinvestav 3D. Doctor de Estado (Física del Estado Sólido) (1980) por Universidad de París, Orsay, Francia

Línea de Investigación:
Caracterización de semiconductores
Temas de Investigación:
Difracción de rayos X. Propiedades de transporte eléctrico de semiconductores. Semiconductores no cristalinos. Espectrometría de masas de iones secundarios.
Sistema Nacional de Investigadores:
Nivel 3

Teléfono: 5747-3800 ext: 6253
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Currículum (versión PDF)

Alejandro Ávila García

Investigador Cinvestav 3B. Doctor en Ciencias (1997) por Universidad de Dundee, Reino Unido

Línea de Investigación:
Caracterización de semiconductores
Temas de investigación:
Silicio amorfo hidrogenado. Caracterización en general de semiconductores. Niveles profundos en semiconductores y su caracterización por DLTS. Crecimiento de óxidos metálicos y compositos óxido metálico-polímero usando rocío químico y sol-gel y su caracterización. Estudio de su uso como capas selectivas solares y como sensores de gases
Sistema Nacional de Investigadores:
Nivel 2

Teléfono: 5747-3800 ext 6259
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Currículum

Antonio Cerdeira Altuzarra 

Investigador Cinvestav 3C. Doctor en Ciencias Técnicas (1977) por Instituto Politécnico Noroccidental de Leningrado, Rusia

Línea de Investigación:
Dispositivos semiconductores
Temas de investigación:
Estudio, Caracterización y modelación de transistores MOSFETs avanzados y Transistores de Capa Fina (TFT)
Sistema Nacional de Investigadores:
Nivel 2

Teléfono: 5747-3800 ext 3780
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Currículum (Version PDF)

Elyukhin Vyacheslav Aleksandrovich

Investigador Cinvestav 3C. Doctor en Física y matemáticas (1981) por Instituto Ioffe Physico Technical, Leningrado, Rusia

Línea de Investigación:
Materiales semiconductores
Temas de investigación:
Crecimiento de Películas delgadas de semiconductores compuestos con aplicaciones en optoelectrónica. Estudio de la termodinámica del depósito de películas delgadas. Dispositivos Optoelectrónicos a base de compuestos III-V.
Sistema Nacional de Investigadores:
Nivel 2

Teléfono: 5747-3800 ext 3773
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Currículum ( Versión PDF)

Arturo Escobosa Echavarría

Investigador Cinvestav 3C. Doctor en Ingeniería Eléctrica (1983) por Universidad de Aachen, Alemania

Línea de Investigación:
Caracterización de semiconductores
Temas de investigación:
Crecimiento epitaxial de compuestos III-V. Caracterización de semiconductores, dispositivos optoelectrónicos.
Sistema Nacional de Investigadores:
Nivel 2

Teléfono: 5747-3800 ext 3375
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Currículum

Magali Estrada Del Cueto

Investigadora Cinvestav 3C. Doctor en Ciencias Técnicas (1977) por Instituto Politécnico Noroccidental de Leningrado, Rusia

Línea de Investigación:
Dispositivos semiconductores
Temas de investigación:
Fabricación, Caracterización y modelación de dispositivos orgánicos: emisores de luz y transistores de capa fina
TFT. Estudio, caracterización y modelación de transistores MOSFETs avanzados.
Sistema Nacional de Investigadores:
Nivel 2

Teléfono: 5747-3800 ext 3786
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Currículum (Versión PDF)

Felipe Gómez Castañeda

Investigador Cinvestav 3A. Doctor en Ciencias (1996) por Cinvestav-IPN

Línea de Investigación:
Diseño de circuitos integrados VLSI
Temas de investigación:
Diseño analógico VLSI. Redes neuronales artificiales.
Sistema Nacional de Investigadores:
Nivel 0

Teléfono: 5747-3800 ext 6262
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Currículumm

Iouri Koudriavtsev

Investigador Cinvestav 3B. Doctor en Física Electrónica y Física de Semiconductores (1998) por Universidad Técnica Estatal St. Petersburgo, Rusia

Línea de Investigación:
Caracterización de semiconductores
Temas de investigación:
Fenómeno de pulverización (sputtering) Emisión de moléculas. Pulverización preferencial. Modificación de la composición superficial. Análisis de cuerpos sólidos por SIMS. Estudio de razón isotópica. Control de procesos tecnológicos de crecimientos en semiconductores.
Sistema Nacional de Investigadores:
Nivel 2


Teléfono: 5747-3800 ext 6265
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Currículum

Arturo Maldonado Álvarez

Investigador Cinvestav 3C. Doctor en Ciencias (1997) por Cinvestav-IPN

Línea de Investigación:
Materiales semiconductores
Tema de investigación:
Óxidos semiconductores obtenidos por rocío químico.
Sistema Nacional de Investigadores:
Nivel 2

Teléfono: 5747-3800 ext 3782
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Currículum

Yasuhiro Matsumoto Kuwahara

Investigador Cinvestav 3C. Doctor en Ciencias (1990) por Universidad de Osaka, Japón

Línea de Investigación:
Dispositivos semiconductores
Temas de investigación:
Celdas solares de películas delgadas a base de silicio amorfo hidrogenados. Transistores de películas delgadas.
Sistema Nacional de Investigadores:
Nivel 2

Teléfono: 5747-3800 ext 3783
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Currículum

Jaime Mimila Arroyo

Investigador Cinvestav 3C. Doctor en Ciencias (1978) por Universidad Pierre et Marie Curie, Francia

Línea de Investigación:
Materiales semiconductores
Temas de investigación:
Epitaxia de películas delgadas de materiales semiconductores GaAs, InP, GaN, BN ZnO. Crecimiento de semiconductores en cristal masivo. Caracterización de propiedades ópticas y eléctricas de materiales semiconductores. Diodos emisores de luz, transistores, MES-FET, celdas solares. HEMT Al GaN/GaN, H en los semiconductores.
Sistema Nacional de Investigadores:
Nivel 3

 Teléfono: 5747-3800 ext 6251
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Currículum

José Arturo Morales Acevedo

Investigador Cinvestav 3D. Doctor en Ciencias (1987) por Cinvestav-IPN

Línea de Investigación:
Dispositivos semiconductores
Temas de investigación:
Celdas solares. Física de dispositivos. Semiconductores. Sistemas fotovoltaicos. Instrumentación electrónica.
Sistema Nacional de Investigadores:
Nivel 3

 Teléfono: 5747-3800 ext 3781
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Página Personal
Currículum

José Antonio Moreno Cadenas

Investigador Cinvestav 3A. Doctor en Ciencias (1976) por Instituto Politécnico de Grenoble, Francia

Línea de Investigación:
Diseño de circuitos integrados VLSI
Temas de investigación:
Diseño de sistemas VLSI. Lógica difusa. Redes neuronales artificiales.
Sistema Nacional de Investigadores:
Nivel 1

Teléfono: 5747-3800 ext 3785
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Currículum

Maria de La Luz Olvera Amador

Investigador Cinvestav 3C. Doctor en Ciencias (1998) por Cinvestav-IPN

Línea de Investigación:
Materiales semiconductores
Temas de investigación:
Películas delgadas de Oxidos Semiconductores. Sensores de gases.
Sistema Nacional de Investigadores:
Nivel 2

Teléfono: 5747-3800 ext 3784
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Currículum

Mauricio Ortega López 

Investigador Cinvestav 3C. Doctor en Ciencias (1999) por Cinvestav-IPN

Línea de Investigación:
Dispositivos semiconductores
Temas de investigación:
Síntesis de materiales semiconductores por métodos químicos. Desarrollo de celdas solares fotovoltaicas. Investigación básica en celdas solares.
Sistema Nacional de Investigadores:
Nivel 2


Teléfono: 5747-3800 ext 6260
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Currículum

Ramón Peña Sierra

Investigador Cinvestav 3C. Doctor en Ciencias (1990) por Cinvestav-IPN

Línea de Investigación:
Materiales semiconductores
Temas de investigación:
Crecimiento y caracterización de películas epitaxiales semiconductoras por MOCVD. Dispositivos optoelectrónicos. Diodos emisores de luz de GaAs-GaAlAs. Láseres de semiconductor. Emisores de luz blanca.
Sistema Nacional de Investigadores:
Nivel 2

Teléfono: 5747-3800 ext 3777
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Currículum 

Mario Alfredo Reyes Barranca

Investigador Cinvestav 3C. Doctor en Ciencias (1998) por Cinvestav-IPN   

Línea de Investigación:
Diseño de circuitos integrados VLSI
Temas de investigación:
Memorias MOS de compuerta flotante para redes neuronales artificiales. Diseño de circuitos integrados analógicos. Dispositivos Micro-Electro-Mecánicos.
Sistema Nacional de Investigadores:
Nivel 1

Teléfono: 5747-3800 ext 3776
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Currículum

Rubio Gabriel Romero Paredes

Investigador Cinvestav 3B. Doctor en Ciencias de la Tecnología (1984) Escuela Superior Técnica de Renania Westafalia, Aachen, Alemania

Línea de Investigación:
Dispositivos semiconductores
Temas de investigación:
Dispositivos semiconductores de silicio y silicio poroso. Caracterización de semiconductores. Procesos tecnológicos de circuitos integrados de silicio.
Sistema Nacional de Investigadores:
Nivel 0

Teléfono: 5747-3800 ext 3777
Correo: This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it.
Currículum

Víctor Manuel Sánchez Resendiz

Investigador Cinvestav 3C. Doctor en Ciencias (2000) por Cinvestav-IPN  

Línea de Investigación:
Materiales semiconductores
Temas de investigación:
Crecimiento de cristales masivos por la técnica Czochralski. Crecimiento de películas epitaxiales por la técnica MOCVD de compuestos III-V (GaAs, GaAs/Si, GaN, InN AlN, y aleaciones).
Sistema Nacional de Investigadores:
Nivel 2

Teléfono: 5747-3800 ext 3771, 3780
Correo: This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it.
Currículum

Velumani Subramaniam

Investigador Cinvestav 3C. Doctor en Ciencias (1998) por Universidad Bharathiar, India

Línea de Investigación:
Dispositivos semiconductores
Temas de investigación:
Materiales y Estructuras Nanoestructurados.
Sistema Nacional de Investigadores:
Nivel 3

Teléfono: 5747-3800 ext 4001 REL. INT
Correo: This email address is being protected from spambots. You need JavaScript enabled to view it.
Homepage: http://www.sees.cinvestav.mx/Velumani/Index.html
Currículum

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